半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151698
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335900
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】活性層内の水素がゲイト絶縁膜中に拡散しない構成を実現する。【構成】活性層103の周囲をSiOx Ny で示される薄膜で覆い、活性層103中の水素がゲイト絶縁膜104に拡散することを防止する。

請求項（抜粋）：

珪素膜で構成された活性層と、該活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は酸化珪素膜であり、前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との間にはSiOx Ny で示される薄膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (14件)

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