特許
J-GLOBAL ID：200903042042863742
単結晶SiC
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286276
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109393
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】【課題】 全体的に単位面積あふりのマイクロパイプ数が非常に少なく、かつ、マイクロパイプ近傍に存在する歪等も緩和して半導体デバイス作製用の基板ウエハとして有効に利用できる高品質な単結晶SiCを得る。【解決手段】 六方晶系(6H型)のα-SiC単結晶基体2の表面上に、該α-SiC単結晶基体2を種結晶としての熱処理により単結晶が一体に育成されてマイクロパイプ4Aの数がα-SiC単結晶基体2のマイクロパイプ4Bの数よりも少なく、かつ、厚さt3もα-SiC単結晶基体2の厚さt2よりも薄い育成SiC単結晶3を一体的に設けている。
請求項（抜粋）：
SiC単結晶基体上に、このSiC単結晶基体よりも単位面積あたりのマイクロパイプ数の少ないSiC単結晶を設けたことを特徴とする単結晶SiC。
IPC (3件)：
C30B 25/20
, C30B 29/36
, H01L 21/324
C30B 25/20
, C30B 29/36 A
, H01L 21/324 X
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077ED06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
