特許

J-GLOBAL ID：200903022602294853

炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶

発明者： 岡本 篤人 ,  杉山 尚宏 ,  谷 俊彦 ,  神谷 信雄 ,  原 一都 ,  恩田 正一 ,  廣瀬 富佐雄 ,  原 邦彦
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044398
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥を閉塞させるのではなく、炭化珪素単結晶基板に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。【解決手段】 基板結晶(炭化珪素単結晶)1の表面において開口するマイクロパイプ欠陥の少なくとも一方を被覆材料5で被覆する。そして、熱処理を施し、マイクロパイプ欠陥中が炭化珪素蒸気種で飽和状態になるようにする。これにより、基板結晶上に新たに成長する成長層においてではなく、基板結晶1中に存在するマイクロパイプ欠陥6を基板結晶1の内部で閉塞させることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶(1)を用意する工程と、前記炭化珪素単結晶(1)の表面の少なくとも一部を被覆材料(5)で被覆する工程と、熱処理を施すことにより、前記炭化珪素単結晶(1)に存在する前記マイクロパイプ欠陥を前記炭化珪素単結晶(1)の内部で閉塞させ、前記マイクロパイプ欠陥の少なくとも一部が塞がれた閉塞孔を形成する工程とを備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 31/06

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 31/06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229678   出願人：ホーヤ株式会社
• 単結晶SiCおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-170902   出願人：日本ピラー工業株式会社