特許
J-GLOBAL ID：200903042052592054
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275826
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191659
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 基板となる結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供することにある。【解決手段】 異種基板1の上に、窒化物半導体2を成長させた後、該窒化物半導体2の縦方向の成長を抑え、窒化物半導体を横方向のみに成長させ、続いて、縦及び横方向に成長させ結晶欠陥の少ない窒化物半導体5を成長させる。また前記窒化物半導体の成長方法で得られる結晶欠陥の少ない窒化物半導体5の上に、素子構造となる少なくともn型及びp型の窒化物半導体を形成してなる窒化物半導体素子。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、窒化物半導体を成長させた後、該窒化物半導体の縦方向の成長を抑え、窒化物半導体を横方向のみに成長させ、続いて、縦及び横方向に成長させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18 673
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18 673
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
