半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270453
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094190
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】透明な基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成してなる半導体レーザ装置において、迷光の入射を防ぎ、雑音の発生を防止した半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】この発明は、透明な基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成してなる半導体レーザチップ21をパッケージ20に取り付けた半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップ21のチップ幅をw、厚さをtとし、光学回路を作成した場合に想定される光を反射する光学部品との間の距離をLとしたとき、水平軸のずれを57.3×w/4Lよりも大きくなるように、半導体レーザチップ21をパッケージ20に傾けて取り付ける。

請求項（抜粋）：

透明な基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成してなる半導体レーザチップをパッケージに取り付けた半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップのチップ幅をw、厚さをtとし、光学回路を作成した場合に想定される光を反射する光学部品との間の距離をLとしたとき、水平軸のずれを57.3×w/4Lよりも大きくなるように、半導体レーザチップをパッケージに傾けて取り付けることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01S 5/10

FI (2件)：

H01S 5/022 , H01S 5/10

Fターム (6件)：

5F073AA74 , 5F073BA04 , 5F073CA07 , 5F073EA27 , 5F073FA17 , 5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-150085
特開平4-150085
反射光防止型半導体レーザダイオード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190957 出願人：日本電気株式会社

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