特許

J-GLOBAL ID：200903042060911320

プラズマ処理方法ならびにプラズマ処理装置

発明者： 荻野 誠一 ,  伊藤 亘 ,  大河原 真也
出願人/特許権者： ワイエイシイ株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275576
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093779
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 高速処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 処理室11に、第1真空ポンプ14と第2真空ポンプ15とを直列に接続し、第1真空ポンプ14と第2真空ポンプ15との間に、可変コンダクタンスバルブ16を設置する。また、被処理物13から発生する反応生成ガスを含む排出ガスの一部を、プラズマ発生領域の上流側へと帰還させるための還流経路17を設置する。還流経路17を通して処理室11へと排出ガスの一部を還流させることにより、排出ガス中に含まれている有効ラジカルを、被処理物13の処理に使用することができ、還流を行わない場合に比べて、処理速度が向上する。

請求項（抜粋）：

プラズマを使用して、被処理物のエッチング処理やアッシング処理といったようなプラズマ処理を行うための方法であって、前記被処理物を処理した後の排出ガスの少なくとも一部を、前記被処理物の上流側へと還流させて、前記被処理物の処理のために再使用することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (32件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA40 ,  2H096HA23 ,  2H096LA07 ,  4G075AA24 ,  4G075AA62 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BC06 ,  4G075BD10 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EE36 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BC02 ,  5F004BC04 ,  5F004BD01 ,  5F004BD02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046LB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-006842
  
• 特開平3-027518
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013830   出願人：ソニー株式会社
• レジストの除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-200965   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-112734