特許
J-GLOBAL ID：200903009227255210
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013830
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232079
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ処理の制御性、均一性の向上をはかる。【構成】 プラズマ処理装置の容器21の壁面21aの近傍にバイアス電界を発生させる高周波または低周波電源22を具備するバイアス電界発生手段23と、壁面21aにほぼ平行な磁界Hを印加する磁界印加手段24と、高密度プラズマを発生させるマイクロ波または高周波印加手段25とを有してなる。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置の容器の壁面近傍にバイアス電界を形成する高周波または低周波電源を具備するバイアス電界形成手段と、上記壁面にほぼ平行な磁界を印加する磁界印加手段と、高密度プラズマを発生させるマイクロ波または高周波印加手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
