特許
J-GLOBAL ID：200903042062355573
半導体基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091555
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】半導体基板の表面に圧痕により直接微細な凹凸よりなる織り目状パターンを有する長期保存可能な半導体基板を提供する。および従来の変質しやすいレジストパターンを用いることなく、微細な凹凸よりなるパターンを転写できるモールドを用いて半導体基板に微細な凹凸パターンを形成することにより、工程の簡略化とスループットの向上をはかる。【解決手段】半導体基板の表面に押し付けて微細な凹凸よりなるパターンを転写し得るモールドを作製する工程と、このモールドを半導体基板の表面に押し付けることにより、半導体基板の表面に微細な凹凸よりなる圧痕のパターンを転写する工程を少なくとも含む半導体基板の製造方法とする。また、圧痕のパターンを転写した後、エッチング工程、半導体をエピタキシャル成長する工程、あるいは陽極化成処理する工程を含む半導体基板の製造方法とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に、直接圧痕によって形成された微細な凹凸よりなるパターンを有することを特徴とする半導体基板。
引用特許：
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