特許

J-GLOBAL ID：200903042104568610

半導体装置及びその製造方法

発明者： 青木 仁志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326057
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167806
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【構成】 複数のトランジスタが直列接続された複数の第1トランジスタ列と、複数のトランジスタが前記第1トランジスタ列間に配設された複数の第2トランジスタ列とからなり、前記第1トランジスタ列を構成するトランジスタのソース/ドレインと、別の第1トランジスタ列を構成するトランジスタのソース/ドレインとが、前記第2トランジスタ列を構成するトランジスタによって接続されてなる半導体装置。【効果】 NAND型メモリセルとNOR型メモリセルを同一基板に併設することができ、より高集積化を実現することができる。

請求項（抜粋）：

複数のトランジスタが直列接続された複数の第1トランジスタ列と、複数のトランジスタが前記第1トランジスタ列間に配設された複数の第2トランジスタ列とからなり、前記第1トランジスタ列を構成するトランジスタのソース/ドレインと、別の第1トランジスタ列を構成するトランジスタのソース/ドレインとが、前記第2トランジスタ列を構成するトランジスタによって接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 481

FI (5件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 307 A ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 27/08 321 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-206965
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-103458   出願人：株式会社東芝