特許

J-GLOBAL ID：200903042137685604

シリコンウェハのウェット処理方法

発明者： 榛原 照男 ,  森 良弘
出願人/特許権者： ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (4件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-241474
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103701
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする、シリコンウェハのウェット処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647B

Fターム (33件)：

5F157AA03 ,  5F157AA08 ,  5F157AA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA70 ,  5F157AA72 ,  5F157AA73 ,  5F157AA82 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB73 ,  5F157BB74 ,  5F157BB79 ,  5F157BC52 ,  5F157BC53 ,  5F157BD22 ,  5F157BD25 ,  5F157BD26 ,  5F157BD28 ,  5F157BD33 ,  5F157BD34 ,  5F157BD35 ,  5F157BD36 ,  5F157BE12 ,  5F157BE22 ,  5F157BE33 ,  5F157CE04 ,  5F157CE31 ,  5F157CE36 ,  5F157CF10 ,  5F157DB11 ,  5F157DB18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板処理装置およびパーティクル除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-372960   出願人：大日本スクリーン製造株式会社