半導体デバイス製造における検査方法、その検査装置、および、半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：富田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107102
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの安定生産が行える検査方法、検査装置、および、半導体製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ上の欠陥を検出する外観検査装置102と、検出した欠陥を観察するためのレビューステーション108と、検出した欠陥の中から密集状態にあるものを欠陥群として抽出し、欠陥群を構成する複数の欠陥の中から、1または2以上の任意の欠陥を選択して、これを代表欠陥とする解析ステーション110とを備える。レビューステーション108では、欠陥群に関して、代表欠陥のみが観察される。この際、代表欠陥の種別の判定と共に、代表欠陥以外の、欠陥群を構成する欠陥のすべてについても、該代表欠陥と同一種別であると判定される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを製造する過程において、半導体ウェハ上の欠陥を検出し、検出した欠陥を観察することで、その欠陥の種別を判定する半導体デバイス製造における検査方法において、検出した欠陥の中から密集状態にあるものを欠陥群として抽出し、前記欠陥群を構成する複数の欠陥の中から、1または2以上の任意の欠陥を選択して、これを代表欠陥とし、前記代表欠陥の観察を行うことで、該代表欠陥の種別を判定すると共に、該代表欠陥以外の、前記欠陥群を構成する欠陥のすべてを、該代表欠陥と同一種別であると判定することを特徴とする半導体デバイス製造における検査方法。

FI (2件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置不良解析システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253772 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-127377
特開平3-209740

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