特許

J-GLOBAL ID：200903042148400237

有機EL素子の製造方法及び製造装置

発明者： 桜田 和昭 ,  関 俊一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334606
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142260
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 有機EL素子の生産性を向上させることができる有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 正孔注入層と発光層を陽極および陰極で狭持した構造の有機EL素子の製造方法であって、基板上の所定の領域に有機正孔注入材料を含む正孔注入層をインクジェット方式により形成する正孔注入層形成工程と、有機発光材料を含む発光層をインクジェット方式により形成する発光層形成工程とを具備し、前記正孔注入層形成工程と、前記発光層形成工程とを連続的に行う。

請求項（抜粋）：

導電性高分子層を陽極および陰極で狭持した構造の有機EL素子の製造方法であって、導電性高分子層を含む発光層をインクジェット方式により形成する導電性高分子層形成工程を具備し、前記導電性高分層形成工程が、隣接する2種以上の層をインクジェット方式により形成する工程を、連続的に行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  B41J 2/01 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  B41J 3/04 101 Z

Fターム (6件)：

2C056EA25 ,  2C056FA04 ,  2C056FB05 ,  2C056FD20 ,  3K007AB18 ,  3K007FA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電気光学装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-308742   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 成膜装置及びそれを用いた発光装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358857   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所