特許

J-GLOBAL ID：200903042151042910

半導体装置の製造方法

発明者： 塚本 雅則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153430
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320989
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 不純物領域の表面部に金属化合物膜を形成しても、不純物領域の細線効果を抑制、防止して、微細で且つ動作速度の速い半導体装置を製造する。【解決手段】 Si基板31及び多結晶Si膜36にリンを導入して、Si基板31に拡散層44を形成する共に多結晶Si膜36をN+ 型にした後、拡散層44及び多結晶Si膜36の表面部とTi膜45とを反応させてTiSix 膜46を形成する。不純物としてリンを用いると、TiSix 膜46を形成しても、拡散層44や多結晶Si膜36の細線効果を抑制、防止して、これらのシート抵抗の上昇を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体領域にリンを導入して不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域の表面部と金属とを反応させて前記表面部に金属化合物膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083970   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-136679   出願人：日本電気株式会社