特許

J-GLOBAL ID：200903042160907010

相変化記憶素子およびその形成方法

発明者： 鄭 元 哲 ,  金 亨 俊 ,  朴 哉 ▲げん▼ ,  鄭 椙 旭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310548
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159325
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】相変化記憶素子およびその形成方法を提供する。【解決手段】この素子は電極ホール112を有する加熱電極106を有する。電極ホール112は加熱電極106の所定の領域を貫通する。相変化物質パターン116aが電極ホール112の内側壁と接触する。相変化物質パターン116aと加熱電極106の接触面は電極ホール112の内側壁面である。これによって、加熱電極106と相変化物質パターン116aの接触面積を減少させて相変化記憶素子の消費電力を減少させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に配置され、それの所定の領域を貫通する電極ホールを有する加熱電極と、 前記電極ホールの内側壁と接触する相変化物質パターンとを含むことを特徴とする相変化記憶素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,933,365号
  

審査官引用 (2件)

• 相変化材料の電子メモリ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-118298   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体装置及び半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-314756   出願人：ソニー株式会社