半導体装置及び半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314756
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152893
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】積層される機能素子の一括形成を可能にし、工程数の削減、熱履歴の均一化等を図る。【解決手段】互いに絶縁膜を挟んで積層された複数層の第1電極54〔541 〜544 〕と、複数層の各第1電極54に対向して形成された1つの共通の第2電極58とを有し、複数層の各第1電極54と共通の第2電極58との間に機能素子60、61が形成されて成る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに絶縁膜を挟んで積層された複数層の第1電極と、前記複数層の各第1電極に対向して形成された1つの共通の第2電極とを有し、前記複数層の各第1電極と前記共通の第2電極との間に機能素子が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L27/105 , G11C11/22 , G11C17/00 , G11C17/12 , H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/112

FI (7件)：

H01L27/10 444Z , G11C11/22 501A , G11C17/00 Z , H01L27/10 431 , H01L27/10 433 , H01L27/10 447 , G11C17/00 304A

Fターム (18件)：

5B003AA05 , 5B003AA06 , 5B003AA07 , 5B003AB01 , 5B003AB03 , 5B003AB06 , 5B003AC01 , 5F083CR04 , 5F083CR14 , 5F083FR01 , 5F083FZ10 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083PR37

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-018623 出願人：株式会社日立製作所
自動整合プログラミングおよび消去領域を備えたNROMセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-306999 出願人：サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-357914 出願人：ソニー株式会社

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