特許

J-GLOBAL ID：200903042162738925

半導体装置、半導体装置の評価解析方法及び半導体装置の加工装置

発明者： 北畑 秀樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116647
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189000
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 裏面解析における分解能を安定的に向上させると共に、微細化の進む半導体装置の解析及び評価を確実かつ容易にする。【解決手段】 半導体基板表面1aに集積回路が形成された半導体装置に対し、半導体基板裏面1bの所望箇所を加工して半導体半球1cを形成する。この半導体半球1cを固体浸レンズとして高分解能の裏面解析を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に集積回路が形成された半導体装置において、前記半導体基板の裏面の一部に、半球状の凸部を半導体基板と一体的に形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G01N 21/956 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 N

Fターム (16件)：

2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051BA06 ,  2G051BA10 ,  2G051BB03 ,  2G051BB09 ,  2G051CA04 ,  2G051CB05 ,  2G051DA07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA38 ,  4M106DH13 ,  4M106DH31 ,  4M106DH38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324173   出願人：日本電信電話株式会社