特許

J-GLOBAL ID：200903042177475335

レジスト処理方法

発明者： 木場 幸生 ,  千場 教雄 ,  長谷部 圭蔵
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228217
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144604
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【目的】 処理液から気体成分を十分に除去することができるとともに、処理液の濃度変化を生じないレジスト処理方法を提供する。【構成】 気液分離膜64a及び排気ライン51を備えた脱気機構10aを供給ライン5aに設ける工程と、容器1内に加圧ガスを導入し、加圧ガスにより容器から供給ラインを経由して気液分離膜の一方側に処理液を通流させる工程と、排気ライン51を介して気液分離膜の他方側の雰囲気を排気して気液分離膜の他方側の圧力を処理液の飽和蒸気圧以下の圧力とし、処理液中に溶存する気体成分を気液分離膜の一方側から他方側に移動させ、これにより基板供給前の処理液から気体成分を除去する脱気工程と、脱気機構からノズルまでの間の供給ライン5aに存在する処理液を排出し、脱気処理された処理液を供給ライン5aに導入する処理液置換工程と、脱気処理された処理液をノズル12から基板に向けて吐出する工程と、ノズルと基板とを相対的に回転させ、ノズルと基板との間に脱気処理された処理液の液膜を形成する工程と、を具備する。

請求項（抜粋）：

処理液を貯留した容器内に加圧ガスを導入し、加圧ガスにより容器から供給ラインを経由してノズルに処理液を圧送し、ノズルから基板上に処理液を供給するレジスト処理方法において、(a)気液分離膜及び真空排気ラインを備えた脱気機構を前記供給ラインに設ける工程と、(b)容器内に加圧ガスを導入し、加圧ガスにより容器から供給ラインを経由して前記気液分離膜の一方側に処理液を通流させる工程と、(c)前記真空排気ラインを介して気液分離膜の他方側の雰囲気を排気して気液分離膜の他方側の圧力を処理液の飽和蒸気圧以下の圧力とし、処理液中に溶存する気体成分を気液分離膜の一方側から他方側に移動させ、これにより基板供給前の処理液から気体成分を除去する脱気工程と、(d)前記脱気機構からノズルまでの間の供給ラインに存在する処理液を排出し、前記脱気工程(c)で脱気処理された処理液を前記脱気機構からノズルまでの間の供給ラインに導入する処理液置換工程と、(e)脱気処理された処理液をノズルから基板に向けて吐出供給する工程と、(f)ノズルと基板とを相対的に回転させ、ノズルと基板との間に脱気処理された処理液の液膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするレジスト処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/00 ,  B05D 7/24 301 ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38 501

FI (7件)：

H01L 21/30 563 ,  B05D 1/40 A ,  B05D 3/00 B ,  B05D 7/24 301 Z ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 569 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板への処理液供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-319240   出願人：大日本スクリーン製造株式会社