特許

J-GLOBAL ID：200903042193675328

半導体光集積回路

発明者： 秋永 広幸 ,  大野 英男
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
代理人 (2件)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062627
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258740
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体光集積回路の大幅な小型化を実現できるようにする。【解決手段】 本発明は、半導体結晶を基板2とし各種の光学素子を一体として集積化した半導体光集積回路1において、基板2に接合した強磁性体金属3a,3bと、基板2の内部であって、強磁性体金属3a,3bによる磁気効果が及ぶ領域を通過するように形成した光導波路4(4a,4b)と、を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体結晶を基板とし各種の光学素子を一体として集積化した半導体光集積回路において、上記半導体結晶に接合した強磁性体金属と、上記半導体結晶の内部であって、上記強磁性体金属による磁気効果が及ぶ領域を通過するように形成した光導波路と、を有することを特徴とする半導体光集積回路。

IPC (6件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/095 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01S 5/50 630

FI (6件)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/095 ,  H01L 27/15 C ,  H01S 3/18 694 ,  G02B 6/12 H ,  H01L 27/14 Z

Fターム (32件)：

2H047KA04 ,  2H047KA06 ,  2H047LA11 ,  2H047LA21 ,  2H047LA26 ,  2H047NA06 ,  2H047QA01 ,  2H047RA08 ,  2H047TA05 ,  2H047TA21 ,  2H079AA03 ,  2H079BA02 ,  2H079CA06 ,  2H079CA08 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB18 ,  2H079JA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118FC03 ,  4M118FC10 ,  4M118FC16 ,  4M118FC17 ,  4M118FC18 ,  4M118GA09 ,  5F073AA89 ,  5F073AB01 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059792   出願人：株式会社東芝
• 偏波制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356168   出願人：キヤノン株式会社