特許
J-GLOBAL ID:200903042214578484
シリカ系粒子、その製造方法及び導電性シリカ系粒子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 静男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-191843
公開番号(公開出願番号):特開2004-035293
出願日: 2002年07月01日
公開日(公表日): 2004年02月05日
要約:
【課題】母体粒子全面にわたって、該母体粒子と硬度が異なる突起物が化学結合により強固に結着し、導電性粒子の母材などとして好適なシリカ系粒子および該粒子に導電性被覆層を設けてなる導電性シリカ系粒子を提供する。【解決手段】母体粒子全面に、実質上球状および/または半球状の突起物を有するシリカ系粒子であって、該突起物が化学結合により母体粒子に結着しており、かつ母体粒子と突起物における10%圧縮時の圧縮弾性率が、それぞれ異なるシリカ系粒子、および該シリカ系粒子と、その表面に形成された導電性被覆層とを有する導電性シリカ系粒子である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
母体粒子全面に、実質上球状および/または半球状の突起物を有するシリカ系粒子であって、該突起物が化学結合により母体粒子に結着しており、かつ母体粒子と突起物における10%圧縮時の圧縮弾性率が、それぞれ異なることを特徴とするシリカ系粒子。
IPC (3件):
C01B33/12
, H01B1/00
, H01B1/08
FI (3件):
C01B33/12 Z
, H01B1/00 C
, H01B1/08
Fターム (14件):
4G072AA25
, 4G072AA41
, 4G072BB01
, 4G072BB07
, 4G072BB20
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072MM01
, 4G072QQ06
, 4G072QQ09
, 4G072UU30
, 5G301CA30
, 5G301CD04
引用特許: