半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204880
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036074
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】ソース領域とソース電極のコンタクト抵抗を小さくする。【解決手段】外方拡散で、不純物濃度が小さくなったn+ ソース領域5の表面層を除去して、ソース電極とコンタクトするn+ ソース領域5の表面の不純物濃度を高くして、ソース電極とn+ ソース領域5のコンタクト抵抗の低減を図る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面層に選択的に形成される高濃度領域と、該高濃度領域を露出する開口部を有する絶縁膜と、該絶縁膜の開口部で、前記高濃度領域と固着する主電極を具備する半導体装置において、前記高濃度領域の前記主電極と固着される箇所の表面の高さが他の高濃度領域の表面より低いことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

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