特許

J-GLOBAL ID：200903042224834209

半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 唐木田 昇市 ,  宮下 宗治 ,  三橋 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081386
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279650
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 大きなモードホップの発生を抑えた、キンクの少ない、安定した高出力のレーザ光が得られる半導体レーザ装置,及び半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【構成】 InGaAsウエル層4b,AlGaAs光ガイド層4a,及びAlGaAsバリア層4cからなる量子井戸活性層4を備えた0.98μm帯で発振する半導体レーザ装置の第2コンタクト層8内に多重反射膜20を設けた構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板の一主面上に、第1導電型GaAsバッファ層を介して配置された第1導電型Als Ga1-s As(1>s >0)下クラッド層と、該第1導電型下クラッド層上に配置された、ウエル層の材料がInx Ga1-xAs(1>x >0)で、バリア層の材料がAly Ga1-y As(s>y >0)である,0.9〜1.2μm帯の発振波長が得られる各層の材料組成,厚さ,及び層数を有する量子井戸活性層と、該活性層上に配置された第2導電型Alt Ga1-t As(1>t >y)上クラッド層と、該第2導電型上クラッド層上に配置された第2導電型GaAsコンタクト層と、上記各層のいずれかの層の上記基板の一主面に対する所定の高さ位置に上記活性層に接しないよう上記基板の一主面と平行に配置された、隣接する半導体材料と導電型が同じで,屈折率の異なる第1,第2の半導体材料層を、交互に所定の層数だけ積層してなる多重反射膜層と、上記半導体基板の上記一主面と反対側の面上に配置された第1の電極と、上記第2導電型コンタクト層上に配置された第2の電極と、上記活性層,及び多重反射膜層と直交するよう設けられた一対のレーザ共振器端面とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294074   出願人：富士通株式会社