セラミック多層基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浜田治雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234501
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094866
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】焼成後に生じるAu系導体接続ビアとAg系内部導体配線との間の導通不良を回避できるセラミック多層基板を得る。【構成】所要のn枚のグリーンシート20-1...20-nを順次重ねて熱圧着して得られるセラミック多層基板において、第1層目のグリーンシート20-1上のAu系外部導体配線22と第2層目のグリーンシート20-2上のAg系内部導体配線24とを接続するAu系導体接続ビア26は、Ag系導体のパッド30を介して前記Ag系内部導体配線24に接続される。パッド30の大きさは接続ビア径に少なくとも位置ずれ分を含んだ径である。内部導体配線24同士を接続する接続ビア28は、Ag系導体を用いる。

請求項（抜粋）：

導体配線層とセラミック絶縁層とが交互に複数積層されて構成され、前記各導体配線層の中で各種能動素子及び受動素子が接続されるべき表面の外部導体配線層にAu系導体を用いると共に、前記各導体配線層の中でセラミック絶縁層に挾まれる内部導体配線層にAg系導体を用い、且つ前記各導体配線層間の接続に金属導体を充填した接続ビアを用いて構成されるセラミック多層基板において、前記Au系導体の外部導体配線層と前記Ag系導体の内部導体配線層の第1層目との間を接続する接続ビアの充填金属にAu系導体を用いるとともに、該接続ビアはAg系パッドを介して前記Ag系導体の第1層目内部導体配線層に接続するよう構成したことを特徴とするセラミック多層基板。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-279695
低温焼成セラミツク多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-123144 出願人：日本碍子株式会社
特開平4-364035

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