特許
J-GLOBAL ID:200903042232514540
半導体装置の検査方法およびプローブカード
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-284746
公開番号(公開出願番号):特開2008-103528
出願日: 2006年10月19日
公開日(公表日): 2008年05月01日
要約:
【課題】プローブ検査時の温度雰囲気の変化に係わらず、最適なプローブ検査を行うことができる半導体ウェハのプローブカードを提供する。【解決手段】1枚の半導体ウェハ6上のチップのプローブ検査を行うプローブカード7には、探針8を加熱/冷却する装置を設けている。プローブ検査時にプローブカード7及び探針8の温度が、ウェハ温度と同じなるように制御することにより、温度条件を一定にすることができる。しかして、プローブカード7の探針8が、当該ウェハ6に当接されるときの針圧を全プローブ検査が終了するまで一定に保つことができ、針圧の変化に起因する、探針の接触不良、他の配線等の損傷がなくなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体ウェハのチップの電極部に、プローブカードに形成された探針を当接させて、前記チップの特性を検査するプローブ検査において、前記半導体ウェハを加熱若しくは冷却する際に、前記半導体ウェハの温度変化に応じて、前記探針の温度が前記半導体ウェハの温度と同じなるように、前記探針を加熱若しくは冷却することを特徴とする半導体装置の検査方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/66 B
, G01R31/26 J
, G01R31/26 H
Fターム (18件):
2G003AA10
, 2G003AC03
, 2G003AD03
, 2G003AG04
, 2G003AG12
, 2G003AH01
, 2G003AH04
, 2G003AH07
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106CA31
, 4M106DD03
, 4M106DD06
, 4M106DH44
, 4M106DH45
, 4M106DH46
引用特許:
出願人引用 (1件)
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プローブ検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-141931
出願人:株式会社日立製作所
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