特許
J-GLOBAL ID：200903042258080092
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119331
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312795
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のデータ保持性の耐圧を向上させる。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置における電荷蓄積層20を、下層酸化膜23と窒化膜24と上層酸化膜26とで構成する。その際、窒化膜24は他のメモリセルトランジスタと分離するように形成する。これにより、下層酸化膜23と窒化膜24との間の界面近傍に捕獲された電荷が移動し、広がることがないようにすることができ、メモリセルトランジスタのしきい値の変動を抑制し、データ保持性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
電荷蓄積層に電荷を蓄え及び蓄えた電荷を放出することが可能な複数のメモリセルトランジスタを有する、不揮発性半導体記憶装置であって、前記電荷蓄積層は2種以上の絶縁膜を積層して、この2種以上の絶縁膜の界面近傍に電荷を蓄え得るようにするとともに、前記2種以上の絶縁膜のうちの少なくとも1つの絶縁膜を前記メモリセルトランジスタ毎に分離して形成することにより、前記2種以上の絶縁膜の界面が隣接する他のメモリセルトランジスタと分離されている、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115
, G11C 16/04
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 622 E
, H01L 29/78 371
