特許
J-GLOBAL ID：200903042289145478

超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料ならびに関連する方法

発明者：
チアン, シャオイ

チアン, シャオイ について

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チェン, シェンフ

チェン, シェンフ について

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チャン, チェン

チャン, チェン について


出願人/特許権者：
ユニヴァーシティ オブ ワシントン

ユニヴァーシティ オブ ワシントン について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-527925
公開番号（公開出願番号）：特表2009-508542
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料、スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料で被覆した超低汚損表面および表面を作製する方法、および超低汚損表面を有する装置。1つの実施形態において、本発明は、スルホベタインまたはカルボキシベタイン材料の単分子層を含む表面を有する基材を提供する。この基材は、前記表面が約1nm2より大きな欠陥を有さず、約30ng/cm2未満のフィブリノゲン吸着を有する。別の実施形態において、本発明は、低汚損表面を作製するための方法を提供する。この方法は、(a)基材表面にラジカル開始剤を末端に持つ単分子層を形成すること;および(b)ラジカル開始剤を末端に持つ単分子層上で、スルホベタインまたはカルボキシベタインであるモノマーを重合することを含む。
請求項（抜粋）：
スルホベタインまたはカルボキシベタイン材料の単分子層を含む表面を有する基材であって、前記表面が約1nm2より大きな欠陥を有さず、約30ng/cm2未満のフィブリノゲン吸着を有する、前記基材。
IPC (21件)：
A61L 27/00 ,  A61M 1/00 ,  A61F 2/00 ,  A61F 2/24 ,  A61F 2/30 ,  A61F 2/06 ,  A61F 2/14 ,  A61M 1/12 ,  A61F 2/82 ,  A61F 9/007 ,  G02C 7/04 ,  A61K 47/32 ,  C09D 201/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D 5/16 ,  C09D 133/14 ,  C09D 153/00 ,  C09D 171/02 ,  C08F 293/00 ,  C08F 20/36 ,  C08F 20/38
FI (21件)：
A61L27/00 W ,  A61M1/00 510 ,  A61F2/00 ,  A61F2/24 ,  A61F2/30 ,  A61F2/06 ,  A61F2/14 ,  A61M1/12 ,  A61M29/02 ,  A61F9/00 560 ,  G02C7/04 ,  A61K47/32 ,  C09D201/00 ,  C09D7/12 ,  C09D5/16 ,  C09D133/14 ,  C09D153/00 ,  C09D171/02 ,  C08F293/00 ,  C08F20/36 ,  C08F20/38
Fターム (113件)：
2H006BB10 ,  4C076AA09 ,  4C076EE03 ,  4C076EE08A ,  4C076EE10A ,  4C076EE13A ,  4C076EE14A ,  4C076EE22 ,  4C076EE24 ,  4C076EE26 ,  4C076EE27 ,  4C076EE45A ,  4C076EE49A ,  4C076FF02 ,  4C077AA04 ,  4C077AA16 ,  4C077AA19 ,  4C077AA26 ,  4C077DD01 ,  4C077EE01 ,  4C077EE02 ,  4C077EE04 ,  4C077FF04 ,  4C077KK04 ,  4C077KK21 ,  4C077PP04 ,  4C077PP10 ,  4C077PP13 ,  4C077PP18 ,  4C077PP26 ,  4C077PP28 ,  4C081AB00 ,  4C081BA02 ,  4C081BB09 ,  4C081BC02 ,  4C081CA022 ,  4C081CA061 ,  4C081CA081 ,  4C081CA101 ,  4C081CA162 ,  4C081CA181 ,  4C081CA212 ,  4C081CA272 ,  4C081CA281 ,  4C081CC02 ,  4C081CC04 ,  4C081CC05 ,  4C081DA06 ,  4C081DA12 ,  4C081DB07 ,  4C081DC04 ,  4C081DC05 ,  4C081EA02 ,  4C081EA03 ,  4C081EA05 ,  4C081EA06 ,  4C097AA03 ,  4C097AA15 ,  4C097AA24 ,  4C097AA27 ,  4C097BB01 ,  4C097CC03 ,  4C097DD01 ,  4C097EE03 ,  4C097EE11 ,  4C097FF03 ,  4C097FF04 ,  4C097MM04 ,  4C167AA50 ,  4C167BB13 ,  4C167CC08 ,  4C167FF05 ,  4C167GG02 ,  4C167GG06 ,  4C167GG07 ,  4C167GG16 ,  4C167HH02 ,  4C167HH08 ,  4J026HA45 ,  4J026HB11 ,  4J026HB29 ,  4J026HB32 ,  4J026HB38 ,  4J026HB44 ,  4J026HB45 ,  4J026HB46 ,  4J026HB47 ,  4J026HE01 ,  4J038CG132 ,  4J038CG172 ,  4J038CH192 ,  4J038CH262 ,  4J038CQ002 ,  4J038DF022 ,  4J038KA15 ,  4J038NA05 ,  4J038PB07 ,  4J100AL08P ,  4J100BA17P ,  4J100BA32P ,  4J100BA56P ,  4J100CA01 ,  4J100CA23 ,  4J100CA27 ,  4J100DA71 ,  4J100EA03 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC02 ,  4J100JA01 ,  4J100JA28 ,  4J100JA51 ,  4J100JA53
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (5件)
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