特許

J-GLOBAL ID：200903042294425659

窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法

発明者： 中畑 成二 ,  佐藤 史隆 ,  三浦 祥紀 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  戸津 洋介 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159436
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308377
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】比抵抗が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。【解決手段】鉄を含む窒化ガリウム層51を基板50上に形成する。次に、基板50上に形成された窒化ガリウム層51を800°C以上で5分以上加熱し、降温速度を50°C/分以下とする熱処理を行なう。また、窒化ガリウム層の表面は、(0001)面から0.03°以上傾斜させておく。以上により、比抵抗が1×106Ω・cm以上で、クラックの発生率が低い窒化ガリウム層を形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

比抵抗が1×106Ω・cm以上の窒化ガリウム層の形成方法であって、 鉄を含む窒化ガリウム層を基板上に形成する工程と、 前記基板上に形成された前記窒化ガリウム層を加熱する工程と、 を含む、窒化ガリウム層の形成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077FE11 ,  4G077FE13 ,  4G077FE18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045CA06 ,  5F045DP03 ,  5F045EE07 ,  5F045EE15 ,  5F045EK28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム基板、エピタキシャル基板、および窒化ガリウムを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-075734   出願人：住友電気工業株式会社