窒化ガリウム基板、エピタキシャル基板、および窒化ガリウムを形成する方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-075734
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306723
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のGaN基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。【解決手段】有機金属塩化水素気相装置11のサセプタ上に、(0001)面を有するサファイア基板といった基板1を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース13からの鉄化合物ガスGFeと塩化水素ソース15からの塩化水素ガスG1HClを混合器16において反応させて、塩化鉄(FeCl2)といった鉄含有反応物のガスGFeCompを生成する。この生成と共に、鉄含有反応物GFeComp、窒素ソース17からの窒素元素を含む第1の物質のガスGNおよびガリウム元素を含む第2の物質のガスGGaを反応管21に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム23を基板1上に形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

5×1016cm-3以上の鉄濃度と100マイクロメートル以上の厚さとを有することを特徴とする窒化ガリウム基板。

IPC (3件)：

C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (39件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA04 , 4G077EB01 , 4G077FJ03 , 4G077TA04 , 4G077TC02 , 4G077TC03 , 4G077TC08 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045DA53 , 5F045DA59

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-195556 出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

半絶縁性GaNおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-518986 出願人：クリーインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

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