特許
J-GLOBAL ID：200903042297638483
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-337590
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147930
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 温度サイクル環境下での信頼性の高い半導体装置を提供することにある。【解決手段】 バンプ4を有する半導体チップ2と、半導体チップ2と対向し、バンプ4と電気的に接続する配線パターンが形成された基板6と、半導体チップ2と基板6との間に充填されると共に半導体チップ2の側面にフィレット部12を有するように形成された封止樹脂10と、を含み、フィレット部12の端部は、半導体チップ2の側面から基板6に対して平行な方向の500μm以内に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
バンプを有する半導体チップと、
前記半導体チップと対向し、前記バンプと電気的に接続する配線パターンが形成された基板と、
前記半導体チップと前記基板との間に充填されると共に前記半導体チップの側面にフィレット部を有するように形成された封止樹脂と、
を含み、
前記フィレット部の端部は、前記半導体チップの側面から前記基板に対して平行な方向の500μm以内に形成されている半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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