特許
J-GLOBAL ID：200903042310360678
深いサブ-ハーフミクロンIC応用のための新規なメタライゼーションパッシベーション技術
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-520459
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501240
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】各金属配線配線構造(14)は、2つの高融点金属層(18、20)の間に挟まれるアルミニウム配線(16)を含む。この発明の方法は、アルミニウム金属間合金層(24)をアルミニウム配線(16)のサイドウォール(22)上に形成することを含む。アルミニウム金属間合金層(24)は、アルミニウム高融点金属合金を含む。アルミニウム高融点金属合金は、サイドウォール(22)の露出したアルミニウムを高融点金属含有先駆体材料と反応させることによって形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板(10)上に形成される絶縁層(12)上に形成される、エレクトロマイグレーションによって生じるパイルアップの形成に耐える少なくとも1つの金属配線構造(14)を形成するための方法であって、 (a) 第1の高融点金属層(18)を前記絶縁層(12)上に形成するステップと、 (b) アルミニウム層(16)を前記第1の高融点金属層(18)上に形成するステップと、 (c) 第2の高融点金属層(20)を前記アルミニウム層(16)上に形成するステップと、 (d) 前記第2の高融点金属層(20)、前記アルミニウム層(16)および前記第1の高融点金属層(18)をパターン化し、それによって前記パターン化された第1の高融点金属層(18)と前記パターン化された第2の高融点金属層(20)との間に挟まれる少なくとも1つのアルミニウム配線(16)を形成するステップとを含み、各前記アルミニウム配線は、露出したアルミニウムを含むサイドウォール(22)を有し、前記方法はさらに (e) 前記サイドウォール(22)の露出したアルミニウムを少なくとも1つの高融点金属含有先駆体材料と反応させることによって、アルミニウム高融点金属合金を含むアルミニウム金属間合金層(24)を前記アルミニウム配線(16)の前記サイドウォール(22)上に形成するステップを含み、前記アルミニウム金属間合金層(24)は、前記サイドウォール(22)に補強を提供し前記サイドウォール(22)がエレクトロマイグレーションによって生じるパイルアップの形成に耐えることができるようにする、方法。
引用特許：
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