特許
J-GLOBAL ID：200903042312172984

シリコンウェーハとその製造方法

発明者：
藤川 孝

藤川 孝 について


出願人/特許権者：
住友シチックス株式会社

住友シチックス株式会社 について


代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050715
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 エピ・ウェーハの低コスト化を図るために工程をできるだけ簡素化して、ウェーハに切り出し成形後のEG効果が期待できる処理を一切施すことなく、ウェーハのデバイスプロセスにおける種々の汚染に対するゲッタリング能を向上させたエピ・ウェーハ並びにその製造方法の提供。【解決手段】 酸素濃度を比較的高く、かつ意図的に炭素濃度を高くするようにCZ法にて育成されたシリコン単結晶は、EG処理を施すことなく、ウェーハ自体に優れたゲッタリング能が発揮される。
請求項（抜粋）：
CZ法にて育成されたシリコン単結晶であり、酸素濃度が12〜27×1017atoms/cm3、炭素濃度が0.5〜32×1016atoms/cm3の各範囲にあり、EG効果が期待できる処理が全く施されていないウェーハの表面にエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭59-082717
  • 特開昭58-197716
  • 半導体基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-136805   出願人：住友金属工業株式会社
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