特許
J-GLOBAL ID：200903042314778928
フェノキシスルホン化芳香族ポリイミド及び高分子電解質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐野 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136326
公開番号（公開出願番号）：特開2006-312693
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】耐水性に優れ、イオン交換容量、プロトン伝導性及び低メタノール透過性等の特性に優れたフェノキシスルホン化芳香族ポリイミド及びこれを用いた電解質膜を提供する。【解決手段】下記の構造単位を有するスルホン化芳香族ポリイミド及びこれを用いた電解質膜である。(但し、Ar1は少なくとも1つの芳香環を有する4価の基であり、Ar2は下記式(2)で示される2価の基である。)(但し、Xは水素原子、アルカリ金属、アンモニウム又は4級アミンである。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表される構造単位を有することを特徴とするフェノキシスルホン化芳香族ポリイミド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (37件)：
4J043PB08
, 4J043PB15
, 4J043PC186
, 4J043QB26
, 4J043RA34
, 4J043SA06
, 4J043SA81
, 4J043SB01
, 4J043TA22
, 4J043TB01
, 4J043TB02
, 4J043UA131
, 4J043UA262
, 4J043UB012
, 4J043UB122
, 4J043UB152
, 4J043UB292
, 4J043VA041
, 4J043VA042
, 4J043XA17
, 4J043XB17
, 4J043XB19
, 4J043ZA41
, 4J043ZA44
, 4J043ZB47
, 4J043ZB49
, 5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB03
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH03
, 5H026HH05
, 5H026HH06
, 5H026HH08
