プラズマ処理装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256159
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091320
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理の均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ発生空間22がプラズマ処理空間13に隣接し且つ連通し更に分散しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間22プラズマ用ガスAを導入し(50)、これと別個にプラズマ処理空間13に処理ガスBを導入し(70)、プラズマ発生空間22に添加ガスCを導入し(60)、プラズマ発生空間22への導入に際してプラズマ用ガスAと添加ガスCとを混合するとともにその混合に際して混合割合の分布を局所的に異ならせる(80)。ガスAには非反応性ガスのみを用い、ガスBには反応ガスを用い、ガスCには、副生成物に対応した副次ガスや、異なる非反応性ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内にプラズマ処理空間の形成されたプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理空間にプラズマ用ガスを導入する第1のガス導入路と、この第1のガス導入路と別個に設けられ前記プラズマ処理空間に処理ガスを導入する第2のガス導入路と、前記プラズマ処理空間に添加ガスを導入する第3のガス導入路と、前記プラズマ処理空間への導入に際して前記プラズマ用ガスと前記添加ガスとを混合するとともにその混合に際して混合割合の分布を局所的に異ならせる又は異ならせ得る混合手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/455 , C23F 4/00 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/44 D , C23F 4/00 A , H01L 21/205

Fターム (74件)：

4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030CA04 , 4K030DA04 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030LA15 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD03 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG06 , 4K057DG07 , 4K057DG08 , 4K057DG12 , 4K057DG13 , 4K057DG20 , 4K057DM02 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM14 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BA11 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004BC08 , 5F004BD07 , 5F004CA02 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB00 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB02 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EE12 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH11 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EH19 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ化学蒸着を用いてフッ化シリコン酸化物層を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-524377 出願人：ワトキンズ-ジョンソンカンパニー
誘導結合プラズマ・リアクタとその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-049888 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-130767 出願人：東京エレクトロン株式会社

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