誘導結合プラズマ・リアクタとその方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049888
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237698
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハ28の処理方法とを提供する。【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ10は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル38,44を有するプラズマ源16を備える。ガス供給システム20は、それぞれがプラズマ源16内の複数のチャネル38,44に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン34,35,36を備える。各チャネルは、個別に給電されるRFコイル54,56により囲まれて、プラズマ源16の各チャネル38,44内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ28の上にある材料層66は、半導体ウェハ28全体の各位置64でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。

請求項（抜粋）：

半導体装置を作成する方法であって:第1プラズマ発生領域と第2プラズマ発生領域とを有するプラズマ・リアクタ(10)であって、前記第1プラズマ発生領域は、前記第2プラズマ発生領域が前記第1プラズマ発生領域の周囲を囲む周縁部を有するプラズマ・リアクタ(10)を準備する段階;前記プラズマ・リアクタ(10)内に半導体基板(28)を配置する段階;前記第1プラズマ発生領域と前記第2プラズマ発生領域とを用いて前記プラズマ・リアクタ(10)内にプラズマ(30)を生成する段階;および前記プラズマ(30)を用いて前記プラズマ・リアクタ(10)内で前記半導体基板(28)を処理する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-094422
プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-187097 出願人：国際電気株式会社
分子線エピタキシー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-102295 出願人：新日本製鐵株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平3-094422
特開平3-094422
特開平3-094422

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