特許
J-GLOBAL ID:200903042317347227

面発光レーザ素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-278621
公開番号(公開出願番号):特開2007-142375
出願日: 2006年10月12日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】酸化層狭窄型のVCSEL素子における酸化狭窄層の電流注入領域の形状を、静電破壊が生じ難い良好な円形状にする。【解決手段】酸化狭窄層となるAlAs層を積層構造中に含むメサポスト51の外周形状を、AlAs層の酸化速度が速い結晶面に対応する外周部分で突出する形状にする。これにより、酸化狭窄層内の電流注入領域52の形状が良好な円形状となる。メサポスト51の平面形状として、1つの大円とその円弧上に中心を有する小円の突出部とから成る形状、略正方形状などを採用する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に形成される下部DBRミラー、上部DBRミラー、活性層、及び、 前記DBRミラーに隣接して又はDBRミラーの内部に形成され、中心部に電流注入領域を有する酸化狭窄層を含む積層構造とを備える面発光レーザ素子において、 少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層がメサポストに形成されており、 前記メサポストの少なくとも前記酸化狭窄層の近傍の外周は、メサポスト中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面が成す角度を等分する平面とメサポスト外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面とメサポスト外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向に突出していることを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (20件):
5F173AA17 ,  5F173AA47 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC33 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF96 ,  5F173AF97 ,  5F173AH02 ,  5F173AK22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP38 ,  5F173AP42 ,  5F173AP47 ,  5F173AP67 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る