酸化ケイ素プラントのための酸素移送膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内基弘 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-575497
公開番号（公開出願番号）：特表2003-530289
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：

【要約】高純度二酸化ケイ素を製造するための統合システムであって、酸素含有供給ガスの源(2)と、酸素選択移送膜(15)を含む酸素移送膜セル(1)であって、該膜が、酸素欠乏不純物含有濃縮物を陰極側に保持しながら、浄化酸素透過物を形成するため、酸素イオンを供給ガスから該膜(15)を通って陽極へと移送することにより、供給ガス中の酸素の分離に有効な上昇温度にある当該酸素移送膜セル(1)と、前記源(2)から前記膜セル(1)の陰極側への通路(11)と、ケイ素源(25)と、高純度ケイ素反応及び高純度二酸化ケイ素を生成するため、浄化酸素透過物とケイ素源(25)からのケイ素との反応に有効な上昇反応温度での当該反応のために前記膜セル(1)の陽極側と連通するケイ素酸化炉(5)とを備える。

請求項（抜粋）：

高純度二酸化ケイ素を製造するための統合システムであって、a)少なくとも一の不純物を含む酸素含有供給ガスの源(2)と、b)陰極側及び反対陽極側を有する酸素選択移送膜(15)を含む酸素移送膜セル(1)であって、該膜が、酸素欠乏不純物含有濃縮物を陰極側に保持しながら、陽極側に浄化酸素透過物を形成するため、酸素イオンを酸素含有供給ガスから該膜を通って陽極へと移送することにより、供給ガス中の酸素の不純物からの分離に有効な上昇温度にある当該酸素移送膜セル(1)と、c)前記源(2)から前記膜セルの陰極側への通路(11)と、d)ケイ素源(25)と、e)高純度二酸化ケイ素を製造するため、浄化酸素透過物とケイ素源(25)からのケイ素との反応に有効な上昇反応温度での当該反応のために前記膜セル(1)の陽極側と連通するケイ素酸化炉(5)と、を備えた統合システム。

Fターム (10件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072FF02 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH01 , 4G072JJ03 , 4G072RR03 , 4G072RR28 , 4G072UU01

引用特許：

審査官引用 (1件)

高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-245980 出願人：コーニングインコーポレイテッド

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