真空処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-248892
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067036
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】プラズマで処理中のウエハの温度分布を応答性良く変化させることが出来るヒ-タ内臓の静電吸着装置を低コストで提供し、なおかつエッチング条件毎にウエハ面内のCDのバラツキを抑え均一なエッチングを実現する静電吸着装置を提供する。【解決手段】静電吸着装置の基材に溶射法によりセラミックス製の膜21を形成し、セラミックス製の膜表面に溶射法により静電吸着のための電極膜33,34を形成し、なおかつ溶射法によりリング状のヒ-タ膜22を電極膜34の半径方向の間に形成し、前記セラミックス製の膜21、電極膜33,34及びヒ-タ膜22の上面に溶射法によりセラミックス製の膜21を形成する。【選択図】図2B

請求項（抜粋）：

内部が減圧される真空容器と、この真空容器内に配置された試料台と、前記試料台に設けられ半導体ウエハを保持する静電吸着装置とを有し、前記試料台上方にプラズマを形成して前記半導体ウエハをエッチング処理する真空処理装置において、該静電吸着装置は、導電牲のある基材上に第一の誘電体膜が形成され、該第一の誘電体膜の表面上に静電吸着のための略リング状の電極膜が複数個同心円状に離間して形成され、該電極膜の半径方向の間にリング状のヒータ膜が形成され、前記電極膜及びヒータ膜の上面に第二の誘電体膜が形成されていることを特徴とする真空処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/683 , H02N 13/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101G , H01L21/68 R , H02N13/00 D , H05H1/46 B

Fターム (23件)：

5F004AA01 , 5F004BA16 , 5F004BB12 , 5F004BB22 , 5F004BB26 , 5F004BB29 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004EA22 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA18 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031MA32 , 5F031NA04 , 5F031NA05 , 5F031PA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

エッチング装置及びその温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-003440 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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