特許

J-GLOBAL ID：200903032199143667

エッチング装置及びその温度制御方法

発明者： 原野 英樹 ,  瀬尾 祐史
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003440
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203905
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】稼働時の基盤のCDシフトの差を抑えることができるドライエッチング装置及びその温度制御方法を提供すること。【解決手段】エッチング処理が行なわれる反応容器内に配置されるとともに冷媒循環路を内装する電極を備える処理装置と、前記冷媒循環路における冷媒を所定の温度及び流量で循環させるとともに前記冷媒を冷却する冷却装置と、前記冷媒の温度若しくは流量を制御する制御装置と、を備えるエッチング装置の温度制御方法において、前記反応容器内での稼動状態を監視する工程と、前記稼動状態に係る情報に基づいて冷媒の温度若しくは流量の制御を行なうことにより、前記電極の温度制御を行なう工程と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

エッチング処理が行なわれる反応容器内に配置されるとともに冷媒循環路を内装する電極を備える処理装置と、前記冷媒循環路における冷媒を所定の温度及び流量で循環させるとともに前記冷媒を冷却する冷却装置と、前記冷媒の温度若しくは流量を制御する制御装置と、を備えるエッチング装置の温度制御方法において、前記処理装置の稼動状態を監視する工程と、前記稼動状態に係る情報に基づいて冷媒の温度若しくは流量の制御を行なうことにより、前記電極の温度制御を行なう工程と、を含むことを特徴とするエッチング装置の温度制御方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  F25D 17/02 301

FI (2件)：

F25D 17/02 301 ,  H01L 21/302 C

Fターム (5件)：

5F004BA04 ,  5F004BB25 ,  5F004BC04 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-268393   出願人：松下電子工業株式会社
• 物品の製造方法、物品の製造システムおよび複数の加工処理装置の運用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-023457   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体製造装置の温度制御方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348085   出願人：ソニー株式会社