半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319552
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169021
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜として用いられるBPSG膜とフォトレジスト膜との密着性を改善する。【構成】第1の配線3上にBPSG膜4を形成したのち、その表面に疎水性窒化膜13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1の配線と、この第1の配線を覆うリンとホウ素を含むシリケートガラス膜と、このシリケートガラス膜の表面に形成された窒化膜と、この窒化膜と前記シリケートガラス膜に形成されたコンタクト孔と、このコンタクト孔内を含む前記窒化膜上に形成された第2の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-270256
特開昭62-123725
特開昭63-236317

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