特許

J-GLOBAL ID：200903042400965560

フッ素含有シクロデキストリン誘導体、ポリロタキサンおよび感放射線性樹脂組成物

発明者： 西久保 忠臣 ,  工藤 宏人 ,  西村 功 ,  下川 努 ,  杉江 紀彦
出願人/特許権者： JSR株式会社 ,  学校法人神奈川大学
代理人 (1件)： 和気 操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122246
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306917
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 F2エキシマレーザーなどの放射線に対する透明性が高く、レジストに要求される基本性能を満たす酸解離性基含有重合体として使用できる。【解決手段】 式(1)で表されるフッ素含有シクロデキストリン誘導体、【化1】および、この環状化合物の空洞を貫通する直鎖状高分子体とからなるポリロタキサン、ならびにフッ素含有シクロデキストリン誘導体または上記ポリロタキサンを酸解離性基含有樹脂とし、感放射線性酸発生剤を含む感放射線性樹脂組成物。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されるフッ素含有シクロデキストリン誘導体。

IPC (5件)：

C08B37/16 ,  C08L5/16 ,  C08L101/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5件)：

C08B37/16 ,  C08L5/16 ,  C08L101/00 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (19件)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  4C090AA02 ,  4C090AA08 ,  4C090BA10 ,  4C090BB66 ,  4C090DA32 ,  4J002AB052 ,  4J002CH021 ,  4J002GP03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第4385839号
  
• アシル化されたシクロデキストリンおよびアシル化されたγ-シクロデキストリン誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097279   出願人：コンゾルテイウムフユールエレクトロケミツシエインヅストリーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• シクロデキストリン残基を有する含フツ素高分子化合物と超薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-190568   出願人：工業技術院長