特許
J-GLOBAL ID:200903042410009951
ダイヤモンド電極およびその製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-518488
公開番号(公開出願番号):特表2005-532472
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
本発明は、合成的に得られた、導電性(ドープされた)ダイヤモンドを有するダイヤモンド電極に関する。この表面は、金属層または金属合金層中に埋設されたダイヤモンド粒子(5)を有し、この場合このダイヤモンド粒子は、金属または金属合金との導電性結合を得る。
請求項(抜粋):
合成的に得られた、導電性(ドープされた)ダイヤモンドを有するダイヤモンド電極において、このダイヤモンド電極が金属層または金属合金層の表面中に埋設されたダイヤモンド粒子(5)を有し、この場合このダイヤモンド粒子は、金属または金属合金との導電性結合を得ることを特徴とする、ダイヤモンド電極。
IPC (7件):
C25B11/06
, C02F1/461
, C23C30/00
, C25B1/02
, C25B11/04
, C25D11/18
, C25D15/00
FI (7件):
C25B11/06 Z
, C23C30/00 Z
, C25B1/02
, C25B11/04
, C25D11/18 301E
, C25D15/00 A
, C02F1/46 101Z
Fターム (45件):
4D061DA03
, 4D061DB01
, 4D061EA03
, 4D061EB01
, 4D061EB04
, 4D061EB14
, 4D061EB27
, 4D061EB29
, 4D061EB30
, 4D061EB31
, 4K011AA01
, 4K011AA04
, 4K011AA06
, 4K011AA20
, 4K011AA21
, 4K011AA25
, 4K011AA66
, 4K011DA01
, 4K021AA01
, 4K021AA09
, 4K021AB15
, 4K021DB19
, 4K021DC07
, 4K044AA06
, 4K044BA01
, 4K044BA02
, 4K044BA10
, 4K044BA12
, 4K044BA13
, 4K044BA14
, 4K044BA18
, 4K044BA21
, 4K044BB04
, 4K044BB05
, 4K044BB11
, 4K044CA11
, 4K044CA14
, 4K044CA17
, 4K044CA18
, 4K044CA23
, 4K044CA24
, 4K044CA29
, 4K044CA44
, 4K044CA53
, 4K044CA59
引用特許: