半導体ウェ-ハおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298172
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】ラップに耐える面取り面を低コストで形成する。面取り形状を制御し易くする。ラップでのダメージを完全に除去する。PCRコストを低減する。パーティクル発生の少ない半導体ウェーハを得る。【解決手段】スライスされたシリコンウェーハを複数枚重ね合わせて(ギャザーして)エッチング液に浸漬する。同時に多数のウェーハ周縁部を面取りでき、低コストである。低コスト面取り後のウェーハをラップする。その後、高精度の面取りが施される。低番手砥石での面取りの後、連続して高番手砥石の面取りを施す。この結果、面取り面の形状を上下対称にできる。シリコンウェーハの表裏両面をエッチングし、ラップ・面取りでのダメージを除去する。次に、面取り面にPCRを施した後、研磨・洗浄を経る。

請求項（抜粋）：