多電源集積回路および多電源集積回路システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162634
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074843
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】セミカスタム設計手法により自動設計した場合に、信頼性の低下を招くことなくチップ面積の低減を図ることができる低消費電力多電源集積回路およびこれを用いたシステムを提供する。【解決手段】第1のnウェル73中に形成された第1の電源電圧(VDDH )で動作する第1のp型MOSトランジスタ3と、第2のnウェル23中に形成され、第1の電源電圧より低い第2の電源電圧(VDDL )で動作する第2のp型MOSトランジスタ5とを含む多電源集積回路であって、第1のウェルと第2のウェルとが境界線111を挾んで隣接し、第1および第2のnウェルに対し共に第1の電源電圧(VDDH )を供給すべく構成されている。

請求項（抜粋）：

第1の電源電圧を印加された第1のnウェルと、該第1のnウェルの最近接となる位置に配置され、該第1の電源電圧を印加された第2のnウェルと、該第1のnウェル中に形成され、該第1の電源電圧を印加されたp+型ソース領域を有する第1のp型MOSトランジスタと、該第2のnウェル中に形成され、該第1の電源電圧より低い第2の電源電圧を印加されたp+ 型ソース領域を有する第2のp型MOSトランジスタとを少なくとも含む多電源集積回路。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03K 19/00

FI (3件)：

H01L 27/08 102 B , H03K 19/00 A , H01L 27/04 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-155863
特開昭58-082560
特開平4-147666

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