特に半導体ウェーハ用の粒子光学検査装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-553074
公開番号（公開出願番号）：特表2004-516631
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

半導体の製造において、ウェーハ上の回路パターンを検査することが必要である。非常に小さい細部を有する回路(例えば、40nm)では、検査は、電子ビームコラムによって実行することが可能であり、その場合、複数のウェーハが同時に検査され、信号がオンラインで比較される。本発明の検査装置では、各ウェーハA、B、及び、Cに対しより多くのビームコラムが設けられ、それにより高いフィードスルーレートを得る。検査はx-y走査により行われ、ウェーハは直線運動に従って供給されるので、ウェーハのケア・エリア・フラクションのみを走査する可能性が与えられ、それにより、検査装置におけるウェーハに対し高いフィードスルーレートがもたらされる。

請求項（抜粋）：

検査時に対象を担持するキャリアユニットと、上記関連付けられる対象上の検査されるべきパターンを走査する少なくとも1つの粒子光学コラムを含む、各対象に対しての検査ユニットと、第1の検査ユニットにおける上記粒子光学コラムにより生成される走査信号と、第2の検査ユニットにおける上記粒子光学コラムにより生成される走査信号とを比較する比較回路とが設けられ、複数の対象上の対応するパターンを同時に検査するよう構成される、対象上のパターンを検査する装置であって、上記粒子光学コラムは、当該の粒子光学コラムにより生成される粒子ビームをx-y偏向することにより、上記対象上のパターンのx-y走査を実行するよう配置され、上記キャリアユニットは、上記対象に対し直線に進む直動フィードスルー方向を実現するよう構成されることを特徴とする装置。

IPC (5件)：

H01J37/28 , G01B15/00 , G01N23/225 , H01J37/12 , H01L21/66

FI (6件)：

H01J37/28 B , G01B15/00 B , G01N23/225 , H01J37/12 , H01L21/66 C , H01L21/66 J

Fターム (27件)：

2F067AA45 , 2F067AA54 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067HH06 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067LL00 , 2F067NN03 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001GA06 , 2G001GA09 , 2G001JA03 , 2G001JA09 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 4M106AA01 , 4M106CA39 , 4M106DB05 , 4M106DJ04 , 5C033CC01 , 5C033UU01 , 5C033UU02

引用特許：

審査官引用 (1件)

回路パターン検査装置及び方法並びにこの方法に適した回路パターン配置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-002215 出願人：富士通株式会社

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