特許
J-GLOBAL ID:200903042452267691
露光用フォトマスク
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-139630
公開番号(公開出願番号):特開平11-338121
出願日: 1998年05月21日
公開日(公表日): 1999年12月10日
要約:
【要約】【課題】 多重干渉効果によるゲート電極層の細り、特に、微細レジストパターンでの細りを回避するための新規な露光用フォトマスクを提供する。【解決手段】 拡散層が形成された半導体基板上にゲート電極層のパターンを露光によって形成する際の露光用フォトマスクにおいて、設計上、必要とされる線幅のゲート電極について、フォトマスクの設計データに、該ゲート電極側縁と拡散層の縁との交点で、前記ゲート電極を太らせるための補助パターンを一律に付加したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
拡散層が形成された半導体基板上にゲート電極層のパターンを露光によって形成する際の露光用フォトマスクにおいて、設計上、必要とされる線幅のゲート電極について、フォトマスクの設計データに、該ゲート電極側縁と拡散層の縁との交点で、前記ゲート電極を太らせるための補助パターンを一律に付加したことを特徴とする露光用フォトマスク。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭54-101274
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露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-323852
出願人:三洋電機株式会社
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特開平3-186845
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