特許

J-GLOBAL ID：200903042454407369

非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法

発明者： 呉 英 齊 ,  金 承 賢 ,  丁 炯 鎭
出願人/特許権者： 財団法人韓国科学技術研究院
代理人 (1件)： 笹島 富二雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239920
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116965
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト層の形成を容易にし、誘電特性及び信頼性を向上した非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1)と、該半導体基板(1)上に蒸着形成されるアルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)と、該アルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)上に蒸着形成される白金電極(3)と、該白金電極(3)上に蒸着形成されるチタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)と、該チタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)上に蒸着形成されるPZT薄膜(5)と、を含んで非揮発性メモリ薄膜を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)と、該半導体基板(1)上に蒸着形成されるアルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)と、該アルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)上に蒸着形成される白金電極(3)と、該白金電極(3)上に蒸着形成されるチタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)と、該チタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)上に蒸着形成されるPZT薄膜(5)と、を含んで構成されたことを特徴とする非揮発性メモリ薄膜。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-322206   出願人：垂井康夫, 日産自動車株式会社