特許
J-GLOBAL ID：200903042495238644

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小池 信也

小池 信也 について

, 
波多 俊幸

波多 俊幸 について

, 
錦沢 篤志

錦沢 篤志 について

, 
佐藤 幸弘

佐藤 幸弘 について

, 
清水 一男

清水 一男 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066205
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273977
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置の提供。【解決手段】主面と裏面に電極を有する半導体チップと、厚さの差寸法が半導体チップの厚さよりも厚くなる第2部分と第1部分からなる導電性の複数のリードと、第2部分と半導体チップの電極を接続するバンプ電極と、半導体チップ及びリードの第2部分並びにバンプ電極部分を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有し、リードの第1部分の上面及び下面と第2部分の1面は封止部からそれぞれ露出し、半導体チップの裏面は封止部から露出している。半導体装置は四角形であり、その厚さは一定になっている。一対の対向する2辺に沿って第1部分が位置し、これら第1部分から内側に延在する第2部分にバンプ電極を介して半導体チップのソース電極又はゲート電極が接続されている。ゲート電極は四角形の隣り合う2辺の角部に亘って延在し、ソース電極は残りの4辺部分に亘って配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主面及び前記主面の反対面になる裏面に電極を有する半導体チップと、 前記半導体チップの厚さよりも厚い第1部分と、前記第1部分に連なる前記第1部分よりも薄い第2部分とによって形成される導電性の複数のリードと、 前記第2部分と前記半導体チップの主面の電極を電気的に接続する接続手段と、前記半導体チップ及び前記リードの第2部分並びに前記接続手段を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有し、 前記リードの前記第1部分の上面及び下面と前記第2部分の1面は前記封止部から露出し、かつ前記半導体チップの裏面は前記封止部から露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50
FI (3件)：
H01L23/28 A ,  H01L21/56 H ,  H01L23/50 R
Fターム (24件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F061EA03 ,  5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067AB10 ,  5F067BA03 ,  5F067BC13 ,  5F067BD05 ,  5F067BE09 ,  5F067BE10 ,  5F067CA04 ,  5F067DA11 ,  5F067DA16 ,  5F067DE14 ,  5F067DF20
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM