特許

J-GLOBAL ID：200903042526879953

転写配線支持部材及びそれを使用した半導体パッケージの製造法

発明者： 中村 英博 ,  市村 茂樹 ,  大畑 洋人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074014
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266267
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【目的】 配線とモールド界面の密着力を向上させ、充分な配線の引き剥がし強度を確保し、ならびに仮基板を剥離したあと、モールド表面粗化を可能とする半導体パッケージの製造法を提供する。【構成】電解銅箔とその上にニッケルめっきされた2層箔のニッケル面側にパターン銅めっきでチップ実装用パッド部とチップ実装用パッドを含む配線パターンを形成し、配線パターンのなかで選択的にチップ実装用パッド部にニッケル、金のめっきをし、ニッケル、金めっきされた配線パターン部以外の露出した銅配線部分を酸化還元処理して転写配線支持部材を得、半導体チップを配線側の面に実装し、配線パターンを含め樹脂封止し、その後、モールド材に接してある該支持材を剥離し、露出した配線の中から外部電極以外を保護し、該電極部に外部端子を接続する半導体パッケージを製造する。【効果】 耐吸湿性に優れた半導体パッケージを製造できる。

請求項（抜粋）：

(1a)選択的にエッチング可能な第一、第二の2層の金属からなる支持材の片面上である第二の金属上に、該第二の金属と選択的にエッチング可能な金属を配線形成する工程、(1b)該配線上の所定の位置に、チップ実装用のニッケル、金のめっきを形成する工程、(1c)該配線を粗化処理する工程により製造された転写配線支持部材。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 21/56 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-099456
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010684   出願人：松下電工株式会社