特許
J-GLOBAL ID：200903042545826267
酸素拡散バリア性電極とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089184
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288239
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 酸化物誘電体を成膜する場合に下部電極に接続される多結晶シリコンもしくはシリコンバリア層の酸化によるコンタクト不良を防ぐ。【構成】 Ptをはじめとする貴金属薄膜の結晶粒界は一般的に基板面に垂直に存在し、酸化雰囲気中では酸素の拡散はこの結晶粒界で主に起こっている。そこで粒界に酸素の拡散に対して障壁となる金属を配置することにより、結晶粒界での酸素の拡散を防ぎ貴金属の下に存在する多結晶シリコンやシリコンバリア層の酸化による導通不良を防ぐ。
請求項（抜粋）：
半導体表面と電気的接触を行う電極において、該半導体表面に設けられた半導体拡散バリア層上に積層された多結晶高融点貴金属層の結晶粒界に酸素拡散バリア部を設けたことを特徴とする酸素拡散バリア性電極。
引用特許：
前のページに戻る
