特許
J-GLOBAL ID：200903042556569258

炭化けい素ショットキーダイオードおよびその製造方法

発明者：
清水 正章

清水 正章 について

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福田 祐介

福田 祐介 について

, 
西川 恒一

西川 恒一 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055589
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258271
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 ガードリングを有するSiCショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える.【解決手段】 本発明によれば、ガードリング4を有するSiCショットキーダイオードにおいて、ガードリング4に電気的接続をとる第2の電極層6としてショットキー電極層5とは別の材料を用いることによって、ガードリング4に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いSiCショットキーダイオードを得ることができる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の炭化けい素基板の表面にショットキー電極層を形成し該ショットキー電極層の周辺に第二導電型のガードリングを形成する炭化けい素ショットキーダイオードにおいて、前記ガードリング表面には前記ショットキー電極と異なる材質の第二の電極層を形成することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオード。
FI (3件)：
H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 G ,  H01L 29/48 F
Fターム (13件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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