半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370953
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174175
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】ブレークダウン電圧の低下や阻止破壊が起こりにくいSiCを用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上に、n形のSiCからなり,半導体層中央部3と半導体層周囲部5とを有する半導体層2を形成する。半導体層周囲部の上部にp形不純物を注入して、不純物注入層6を形成する。半導体基板1の下に、オーミック電極7を形成する。半導体層中央部の上に、Niからなる電極本体部8を形成した後、電極本体部8を覆い、不純物注入層の一部の上に延びる,Alからなる電極被覆部9を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、半導体層中央部と、上記半導体層中央部を囲み,注入種を含む不純物注入層とを有し、SiCを含む半導体層と、上記半導体層のうち,少なくとも上記半導体層中央部の上に形成され、上記半導体層中央部とショットキー接合を形成する電極本体部と、上記電極本体部と接し,上記不純物注入層のうち少なくとも一部とオーバーラップする電極被覆部とを備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/48 F , H01L 29/48 G , H01L 21/265 Z , H01L 29/48 D

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD03 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD91 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG18 , 4M104HH08 , 4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

SiCショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-284780 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060364 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-525771 出願人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト

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